Категория на продукта:

MOSFET

RoHS:

ТЕХНОЛОГИЯ:

Si

Вид на монтаж:

SMD/SMT

Опаковка /Калъф:

D2PAK-3

Полярността на транзистор:

P-канал

Брой на каналите:

1 канал

Vds - пробивно напрежение състав-исток:

200 В

Id - постоянен ток изтичане:

6,5 И

Съпротивление Rds на балотажа-истоке:

800 Мом

Напрежение Vgs - затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Напрежение праг източник с th-затвор Vgs:

4 В

Такса Qg-затвора:

29 nC

Минимална температура на работа:

- 55 ° C

Максимална температура на работа:

+ 150 ° C

Pd - разсеяни мощност:

74 W

Режим на канала:

Подобряване на

Серия:

Опаковка:

Макара

Опаковка:

Изрязани лента

Опаковка:

На показалеца на мишката

Марка:

Vishay Semiconductors

Конфигурация:

Единен

Тип на продукта:

MOSFET

Количество в една фабрика, опаковка:

800

Подкатегория:

МОП-транзистори

Тегло на единици за измерване:

0,011640 грама